PドープGe搭載プリント回路基板
P型不純物添加ゲルマニウムの導電性ならびにホール電圧と温度との関係を調べるためのP型不純物添加ゲルマニウム結晶を搭載した交換式の回路基板です。横方向電流とホール電圧用の接点の他に,温度センサの付いた抵抗加熱素子がゲルマニウム結晶の直下に取り付けられています。回路基板をホール効果実験セット(U8487000)と接続するための多ピンプラグも付いています。
結晶概寸:20mmx10mmx1mm
P型不純物添加ゲルマニウムの導電性ならびにホール電圧と温度との関係を調べるためのP型不純物添加ゲルマニウム結晶を搭載した交換式の回路基板です。横方向電流とホール電圧用の接点の他に,温度センサの付いた抵抗加熱素子がゲルマニウム結晶の直下に取り付けられています。回路基板をホール効果実験セット(U8487000)と接続するための多ピンプラグも付いています。
結晶概寸:20mmx10mmx1mm