デバイ・シアース効果用半導体レーザー・赤
この半導体レーザーはデバイ・シアース効果の実験に用います。安全クラス2のレーザーに1mのリード線がつなげられており,連続超音波発生器(U100061)とデバイ・シアース効果実験容器(U10008)に接続して使用します。超音波を印加した水にレーザー光を照射して,透過光が干渉を起こすデバイ・シアース効果を観察できます。
コネクタが独自規格なので,他社のレーザー用電源には接続できません。
- 波長:約650nm
- 電力:1mW未満
- 供給電圧:3V直流
- 消費電流:最大30mA
- レーザー発振器寸法:90mmx直径17mm
デバイ・シアース効果
1932年,デバイとシアースは,光が高周波数をかけた液体を通過するときに屈折することを初めて実証しました。このプロセスにおいて,定常波の密度の最大値および最小値は,光学回折格子の格子のような挙動を示します。ここで格子定数は,波長の半分に等しく,したがって媒体を経由して伝播された超音波の周波数および速度に依存します。
製品マニュアルの記載言語:英語