デバイ・シアース効果用半導体レーザー・緑
この半導体レーザーはデバイ・シアース効果の実験に用います。安全クラス2のレーザーに1mのリード線がつなげられており,連続超音波発生器(U100061)とデバイ・シアース効果実験容器(U10008)に接続して使用します。超音波を印加した水にレーザー光を照射して,透過光が干渉を起こすデバイ・シアース効果を観察できます。
コネクタが独自規格なので,他社のレーザー用電源には接続できません。
- 波長:約532nm
- 電力:5mW未満
- 供給電圧:3V直流
- 消費電流:最大250mA
- レーザー発振器寸法:90mmx直径17mm
製品マニュアルの記載言語:英語